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光刻机又几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限。

光源功率要求极高,透镜和反射镜系统也极致精密,还需要真空环境,配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也不高。

别说樱花与何兰,就算是米国,想要一己之力自主突破这项技术,也是痴人说梦。

米国自然不会想让樱花投诚然后,继续扼住米国半导体咽喉的机会。

于是在一份提交给国会的报告之中,专家明确指出“尼康可能会将技术转移回樱花,从而彻底消灭米国光刻机产业”。

樱花是敌人,但何兰还是有可能发展成自家的“漂亮国好同志”。

当得到这个消息,何兰A斯麦,第一时间就表示了自己诚意,同意在米国建立一所工厂和一个研发中心,以此满足所有米国本土的产能需求。另外,还保证55%的零部件均从米国供应商处采购,并接受定期审查。

这就是为什么米国能禁止何兰的光刻机出口华国,一切的原因都始于此时。

一见小弟这么给力,米国那边直接不要脸了,

开启了更为厉害的骚操作。

广场协议,樱米半导体协议,直接加增100%的关税等等一系列损招全都用了出来。

可樱花只能含泪,牙齿掉了往肚里咽,全都答应了下来,没办法,自家老窝都在别人的炮管之下,那有它蹦跶的份,不过这也让樱花心里其实是憋了一口老血想喷的。

最终,米国能源部和A斯麦达成了协议,允许其加入EVLLC,共同参与开发,共享研究成果。

之后的六年,EVLLC的研发人员发表了数百篇论文,大幅推进了EV技术的研究进展,割地求和的A斯麦虽然只是其中的小角色,但也有机会分得一杯羹。

分享技术只是一方面,收购走后门其实也是米国送给A斯麦的一份大礼。

之后米国的公司研发出EV所需的大功率光源,成为A斯麦的供应商,更在四年后以25亿美元高价直接被阿斯麦并购。

别忘了,这可是光刻机的核心零件,这样顶尖的技术,全球范围也不超过三家。

毫不夸张的说,A斯麦虽然是一家何兰企业,但崛起的背后,其实是一场地地道道的米国式成功。

错而失EV关上了尼康光刻机的大门,加上诸多盟友的背叛则彻底焊死了尼康想要突围的出路。

说实话,当年的英特尔为了防止核心设备供应商一家独大,其实还是挺想带着尼康一起玩的。

32n工艺制程时甚至独家采用尼康的光刻机,而之前的45n,之后的22n,也都是尼康和A斯麦同时供货。就连在2010年的大会上,英特尔还宣布将一直沿用193n沉浸式光刻至11n节点。

但备胎终究是备胎,一转身,英特尔就为了延续摩尔定律的节奏,巨资入股A斯麦,顺带将EV技术托付。

另一边,相比一步步集成了全球制造业精华的A斯麦,早年间就习惯单打独斗的N康在遭遇米国封锁后,更是一步步落后,先进设备技术跟不上且不提,就连落后设备的制造效率也迟迟提不上来。

当年,相同制程,A斯麦宣称“每小时可加工175~200片晶圆”,而尼康的数据是“每小时200片”。

但果真如此吗?这背后涉及到了一个叫做稼动率的制造业名词。简单理解为一台机器设备实际的生产数量与可能的生产数量的比值。

使用A斯麦的设备,三星与台积电的稼动率常年维持在95%上下.

而这边尼康,被迫自研,什么零件都要自己做,但什么东西却总有是差点意思。

导致同一批次的相同设备,每一台的性能都不尽相同。

简单来说,就像买了二十台手机,这台只能发微信,那台只能刷视频,另一台开网页……

设备虽便宜,但稼动率最多只能达到50%左右,对晶元代工厂来说,实在不划算。

因此,英特尔新CEO上任后,立刻抛弃了尼康,甚至后来就连大陆的芯片代工厂都看不上N康的光刻机,就可想而知,N康的发展有多么的没落,最终N康只能慢慢退出芯片光刻。

终于,在2015年,第一台可量产的EV样机正式发布。

正所谓机器一响,黄金万两,当年只要能抢先拿到机器开工,就相当于直接开动了印钞产线,EV光刻机也因此被冠上了“印钱许可证”的名号。

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